Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
44 416 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 0,234 $ |
10+ | 0,135 $ |
25+ | 0,114 $ |
50+ | 0,095 $ |
100+ | 0,074 $ |
250+ | 0,071 $ |
500+ | 0,069 $ |
1000+ | 0,066 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,23 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. Fabricant2N7002-7-F
Code Commande25R5679
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id210mA
Drain Source On State Resistance13.5ohm
On Resistance Rds(on)13.5ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd300mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The 2N7002-7-F is a 60V N-channel enhancement mode Field Effect Transistor with matte tin-plated terminals. The terminals can solderable as per MIL-STD-202, method 208. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS (on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. The case is made of molded plastic, "Green" molding compound (UL94V-0).
- Low on-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- Halogen and antimony-free
- Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
Applications
Motor Drive & Control, Power Management, Defence, Military & Aerospace
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
13.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
210mA
On Resistance Rds(on)
13.5ohm
Power Dissipation Pd
300mW
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour 2N7002-7-F
7 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit