Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
43 900 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 0,032 $ |
10+ | 0,032 $ |
25+ | 0,032 $ |
50+ | 0,032 $ |
100+ | 0,032 $ |
250+ | 0,032 $ |
500+ | 0,032 $ |
1000+ | 0,032 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,03 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. Fabricant2N7002-7-F
Code Commande25R5679
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id210mA
On Resistance Rds(on)13.5ohm
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd300mW
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
The 2N7002-7-F is a 60V N-channel enhancement mode Field Effect Transistor with matte tin-plated terminals. The terminals can solderable as per MIL-STD-202, method 208. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS (on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. The case is made of molded plastic, "Green" molding compound (UL94V-0).
- Low on-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- Halogen and antimony-free
- Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
Applications
Motor Drive & Control, Power Management, Defence, Military & Aerospace
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
13.5ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
210mA
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
300mW
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour 2N7002-7-F
7 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit