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2N7002E-7-F
MOSFET, N-CH, 60V, 0.25A, SOT-23 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantDIODES INC.
Réf. Fabricant2N7002E-7-F
Code Commande89AH0599
Gamme de produit2N7002E
Fiche technique
4 819 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,280 $ |
| 10+ | 0,153 $ |
| 25+ | 0,132 $ |
| 50+ | 0,110 $ |
| 100+ | 0,089 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
1,40 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. Fabricant2N7002E-7-F
Code Commande89AH0599
Gamme de produit2N7002E
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id250mA
Drain Source On State Resistance3ohm
On Resistance Rds(on)1.6ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd370mW
Power Dissipation370mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range2N7002E
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
370mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
2N7002E
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
250mA
On Resistance Rds(on)
1.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
370mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour 2N7002E-7-F
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits