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2N7002W-7-F
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 800 mA, 7.5 ohm, SOT-323, Surface Mount
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FabricantDIODES INC.
Réf. Fabricant2N7002W-7-F
Code Commande
Bobine complète76AK7655
Bandes découpées25R5685
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Options de conditionnement
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,266 $ |
| 10+ | 0,194 $ |
| 25+ | 0,171 $ |
| 50+ | 0,151 $ |
| 100+ | 0,128 $ |
| 250+ | 0,107 $ |
| 500+ | 0,087 $ |
| 1000+ | 0,077 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,095 $ |
| 6000+ | 0,091 $ |
| 12000+ | 0,087 $ |
| 18000+ | 0,081 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. Fabricant2N7002W-7-F
Code Commande
Bobine complète76AK7655
Bandes découpées25R5685
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id800mA
Drain Source On State Resistance7.5ohm
On Resistance Rds(on)13.5ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd200mW
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The 2N7002W-7-F is a N-channel enhancement-mode FET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over alloy 42 lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard.
- Low ON-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- Ultra-small surface-mount package
- Halogen-free, Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
Applications
Power Management, Defence, Military & Aerospace, Automotive
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
7.5ohm
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
800mA
On Resistance Rds(on)
13.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
200mW
Power Dissipation
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour 2N7002W-7-F
3 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit