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768 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 1,080 $ |
10+ | 0,851 $ |
25+ | 0,801 $ |
50+ | 0,750 $ |
100+ | 0,700 $ |
250+ | 0,638 $ |
500+ | 0,577 $ |
1000+ | 0,533 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
5,40 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantBS250FTA
Code Commande12T1444
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id90mA
Drain Source On State Resistance14ohm
On Resistance Rds(on)9ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd330mW
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation330mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The BS250FTA is a -45V P-channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET with 9Ω resistance and 330mW power dissipation.
- AEC-Q10x qualified
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Audio, Automotive
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
14ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
90mA
On Resistance Rds(on)
9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
330mW
Power Dissipation
330mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits