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BSN20-7
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 500 mA, 1.8 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,449 $ |
| 10+ | 0,291 $ |
| 25+ | 0,259 $ |
| 50+ | 0,226 $ |
| 100+ | 0,194 $ |
| 250+ | 0,173 $ |
| 500+ | 0,152 $ |
| 1000+ | 0,138 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,113 $ |
| 6000+ | 0,106 $ |
| 12000+ | 0,102 $ |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantBSN20-7
Code Commande07AH3632
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance1.8ohm
On Resistance Rds(on)1.3ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation600mW
Power Dissipation Pd600mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
BSN20-7 is a N-channel enhancement mode field MOSFET. This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and maintains superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, DC-DC converters, power management functions.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is 50V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Continuous drain current is 500mA at TA=+25°C, steady state, TSP=+25°C
- Pulsed drain current at TSP=+25°C, TA=+25°C is 1.2A
- Power dissipation at TA=+25°C is 600mW
- Static drain-source on-resistance is 1.3ohm typ at VGS=10V, ID=0.22A, TA=+25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
1.8ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
On Resistance Rds(on)
1.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
600mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BSN20-7
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits