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BSS123W-7-F
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
2 395 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,504 $ |
| 10+ | 0,323 $ |
| 25+ | 0,287 $ |
| 50+ | 0,249 $ |
| 100+ | 0,213 $ |
| 250+ | 0,189 $ |
| 500+ | 0,166 $ |
| 1000+ | 0,151 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
2,52 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantBSS123W-7-F
Code Commande07AH3634
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id170mA
Drain Source On State Resistance6ohm
On Resistance Rds(on)6ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation200mW
Power Dissipation Pd200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Aperçu du produit
BSS123W-7-F is a N-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications. Typical applications include small servo motor controls, power MOSFET gate drivers, switching applications.
- Low gate threshold voltage, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- High drain-source voltage rating
- Drain-source voltage is 100V at TA=+25°C
- Continuous gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Pulsed drain current is 680mA at TA=+25°C
- Total power dissipation is 200mW at TA=+25°C
- Static drain-source on-resistance is 6ohm max at VGS=10V, ID=0.17A, TA=+25°C
- SOT323 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
170mA
On Resistance Rds(on)
6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
Power Dissipation Pd
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BSS123W-7-F
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits