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DMG3406L-13
MOSFET, N-CH, 30V, 3.6A, SOT-23 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG3406L-13
Code Commande
Mise en bobine28AK8405
Bandes découpées28AK8405
Votre numéro de pièce
Fiche technique
3 279 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,533 $ |
| 10+ | 0,342 $ |
| 25+ | 0,305 $ |
| 50+ | 0,266 $ |
| 100+ | 0,228 $ |
| 250+ | 0,203 $ |
| 500+ | 0,177 $ |
| 1000+ | 0,148 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG3406L-13
Code Commande
Mise en bobine28AK8405
Bandes découpées28AK8405
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.6A
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd770mW
Power Dissipation770mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
770mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
770mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits