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DMG6402LVT-7
MOSFET, N-CH, 30V, 6A, TSOT-26 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG6402LVT-7
Code Commande88AH8621
Gamme de produitDMG6402LVT
Fiche technique
5 525 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,618 $ |
| 10+ | 0,391 $ |
| 25+ | 0,335 $ |
| 50+ | 0,280 $ |
| 100+ | 0,224 $ |
| 250+ | 0,210 $ |
| 500+ | 0,196 $ |
| 1000+ | 0,178 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
3,09 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG6402LVT-7
Code Commande88AH8621
Gamme de produitDMG6402LVT
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
On Resistance Rds(on)0.022ohm
Transistor Case StyleTSOT-26
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation Pd1.75W
Power Dissipation1.75W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeDMG6402LVT
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.75W
No. of Pins
6Pins
Product Range
DMG6402LVT
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
On Resistance Rds(on)
0.022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation
1.75W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits