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DMG6601LVT-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 679 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,554 $ |
| 10+ | 0,324 $ |
| 25+ | 0,278 $ |
| 50+ | 0,231 $ |
| 100+ | 0,185 $ |
| 250+ | 0,177 $ |
| 500+ | 0,169 $ |
| 1000+ | 0,160 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,55 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG6601LVT-7
Code Commande82Y6568
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id3.8A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel3.8A
Continuous Drain Current Id P Channel3.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.034ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.034ohm
Transistor Case StyleTSOT-26
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel850mW
Power Dissipation P Channel850mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.034ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
850mW
Product Range
-
MSL
-
Continuous Drain Current Id
3.8A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.034ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Power Dissipation N Channel
850mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits