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DMG6601LVT-7
MOSFET, N & P-CH, 30V, TSOT-26
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG6601LVT-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4747
Mise en bobine82Y6568RL
Bandes découpées82Y6568
Votre numéro de pièce
97 En Stock
97 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bobine complète | 1 | 0,153 $ | 0,00 $ |
| Total Prix | 0,15 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,623 $ |
| 10+ | 0,381 $ |
| 25+ | 0,342 $ |
| 50+ | 0,303 $ |
| 100+ | 0,265 $ |
| 250+ | 0,235 $ |
| 500+ | 0,206 $ |
| 1000+ | 0,188 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,153 $ |
| 6000+ | 0,145 $ |
| 12000+ | 0,138 $ |
| 18000+ | 0,130 $ |
| 30000+ | 0,119 $ |
Si vous souhaitez des quantités plus petites, vous pouvez sélectionner un autre type d’emballage
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG6601LVT-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4747
Mise en bobine82Y6568RL
Bandes découpées82Y6568
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel3.8A
Continuous Drain Current Id P Channel3.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.034ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.034ohm
Transistor Case StyleTSOT-26
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel850mW
Power Dissipation P Channel850mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.034ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
850mW
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.034ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Power Dissipation N Channel
850mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit