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DMG6602SVT
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
40 126 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,481 $ |
| 10+ | 0,383 $ |
| 100+ | 0,233 $ |
| 500+ | 0,195 $ |
| 1000+ | 0,177 $ |
| 2500+ | 0,160 $ |
| 12000+ | 0,152 $ |
| 27000+ | 0,151 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
2,40 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG6602SVT
Code Commande65T8213
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id3.4A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel3.4A
Continuous Drain Current Id P Channel3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.038ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.038ohm
Transistor Case StyleTSOT-26
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.12W
Power Dissipation P Channel1.12W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The DMG6602SVT from Diode Inc is a surface mount complementary pair enhancement mode MOSFET in TSOT-26 package. This MOSFET features low input capacitance, fast switching speed and low input/output leakage, designed to minimize the onstate resistance and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications and backlighting.
- Automotive grade AEC-Q101 qualified
- UL recognized
- Drain to source voltage (Vds) of 30V
- Gate to source voltage (Vgs) of ±20V
- Continuous drain current of 3.4A
- Power dissipation (Pd) of 1.27W
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
- Low on state resistance of 38mohm at Vgs of 10V
Applications
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, Automotive
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.038ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.12W
Qualification
-
MSL
-
Continuous Drain Current Id
3.4A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.038ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Power Dissipation N Channel
1.12W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits