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DMN1019UFDE-7
MOSFET, N-CH, 12V, 11A, U-DFN2020 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 631 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,140 $ |
| 10+ | 0,730 $ |
| 25+ | 0,656 $ |
| 50+ | 0,581 $ |
| 100+ | 0,508 $ |
| 250+ | 0,459 $ |
| 500+ | 0,409 $ |
| 1000+ | 0,376 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,14 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN1019UFDE-7
Code Commande36AJ3575
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id11A
On Resistance Rds(on)0.007ohm
Drain Source On State Resistance7000µohm
Transistor Case StyleU-DFN2020
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation Pd2.17W
Power Dissipation2.17W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
On Resistance Rds(on)
0.007ohm
Transistor Case Style
U-DFN2020
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
2.17W
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Drain Source On State Resistance
7000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
Power Dissipation
2.17W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits