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DMN3023L-7
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN3023L-7
Code Commande
Bobine complète86AK4773
Mise en bobine07AH3765
Bandes découpées07AH3765
Votre numéro de pièce
Fiche technique
2 532 En Stock
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Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,777 $ |
| 10+ | 0,499 $ |
| 25+ | 0,445 $ |
| 50+ | 0,391 $ |
| 100+ | 0,337 $ |
| 250+ | 0,302 $ |
| 500+ | 0,266 $ |
| 1000+ | 0,244 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,205 $ |
| 6000+ | 0,196 $ |
| 12000+ | 0,189 $ |
| 18000+ | 0,181 $ |
| 30000+ | 0,173 $ |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN3023L-7
Code Commande
Bobine complète86AK4773
Mise en bobine07AH3765
Bandes découpées07AH3765
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6.2A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd900mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation900mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
DMN3023L-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include load switch, DC-DC converters, and power management functions.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, ESD protected gate
- Drain-source voltage is 30V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 6.2A at TA = +25°C, steady state, VGS = 10V
- Pulsed drain current (380µs pulse, duty cycle = 1%) is 44A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.9W at TA = +25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.2A
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
900mW
Power Dissipation
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour DMN3023L-7
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits