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DMN3026LVT-7
MOSFET, N-CH, 30V, 6.6A, TSOT-26 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN3026LVT-7
Code Commande
Mise en bobine28AK8547
Bandes découpées28AK8547
Votre numéro de pièce
Fiche technique
1 580 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,716 $ |
| 10+ | 0,449 $ |
| 25+ | 0,390 $ |
| 50+ | 0,330 $ |
| 100+ | 0,270 $ |
| 250+ | 0,244 $ |
| 500+ | 0,217 $ |
| 1000+ | 0,196 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN3026LVT-7
Code Commande
Mise en bobine28AK8547
Bandes découpées28AK8547
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6.6A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Transistor Case StyleTSOT-26
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation Pd1.2W
Power Dissipation1.2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.2W
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.6A
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation
1.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits