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DMN30H4D0LFDE-7
MOSFET, N-CH, 300V, 0.55A, U-DFN2020 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
269 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,060 $ |
| 10+ | 0,790 $ |
| 25+ | 0,719 $ |
| 50+ | 0,647 $ |
| 100+ | 0,576 $ |
| 250+ | 0,526 $ |
| 500+ | 0,474 $ |
| 1000+ | 0,433 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
5,30 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN30H4D0LFDE-7
Code Commande36AJ3584
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id550mA
On Resistance Rds(on)2.3ohm
Drain Source On State Resistance4ohm
Transistor Case StyleU-DFN2020
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation Pd1.98W
Power Dissipation1.98W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
300V
On Resistance Rds(on)
2.3ohm
Transistor Case Style
U-DFN2020
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.98W
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
550mA
Drain Source On State Resistance
4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation
1.98W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour DMN30H4D0LFDE-7
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits