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DMPH3010LK3-13
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 50 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMPH3010LK3-13
Code Commande12AC0711
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Fiche technique
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Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,190 $ |
| 10+ | 1,480 $ |
| 25+ | 1,340 $ |
| 50+ | 1,210 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,897 $ |
| 5000+ | 0,866 $ |
| 10000+ | 0,843 $ |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMPH3010LK3-13
Code Commande12AC0711
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id50A
On Resistance Rds(on)0.0075ohm
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation2W
Power Dissipation Pd2W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour DMPH3010LK3-13
2 produit(s) trouvé(s)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0075ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation Pd
2W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits