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DMT32M5LPS-13
MOSFET, N-CH, 30V, 150A, POWERDI 5060 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMT32M5LPS-13
Code Commande
Mise en bobine28AK8866
Bandes découpées28AK8866
Votre numéro de pièce
Fiche technique
2 500 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,890 $ |
| 10+ | 1,340 $ |
| 25+ | 1,230 $ |
| 50+ | 1,110 $ |
| 100+ | 0,995 $ |
| 250+ | 0,933 $ |
| 500+ | 0,870 $ |
| 1000+ | 0,840 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMT32M5LPS-13
Code Commande
Mise en bobine28AK8866
Bandes découpées28AK8866
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id150A
On Resistance Rds(on)0.0016ohm
Drain Source On State Resistance1600µohm
Transistor Case StylePowerDI 5060
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation100W
Power Dissipation Pd100W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0016ohm
Transistor Case Style
PowerDI 5060
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
150A
Drain Source On State Resistance
1600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
100W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits