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DMT6007LFG-7
MOSFET, N-CH, 60V, 80A, POWERDI 3333 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
351 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,280 $ |
| 10+ | 1,800 $ |
| 25+ | 1,670 $ |
| 50+ | 1,560 $ |
| 100+ | 1,450 $ |
| 250+ | 1,340 $ |
| 500+ | 1,230 $ |
| 1000+ | 1,160 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
11,40 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMT6007LFG-7
Code Commande81AH8914
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.006ohm
On Resistance Rds(on)0.0045ohm
Transistor Case StylePowerDI 3333
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation2.2W
Power Dissipation Pd2.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Transistor Case Style
PowerDI 3333
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.2W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.0045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
2.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour DMT6007LFG-7
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits