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DMT6007LFGQ-7
MOSFET, N-CH, 60V, 80A, POWERDI 3333 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMT6007LFGQ-7
Code Commande28AK8878
Votre numéro de pièce
Fiche technique
1 106 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,640 $ |
| 10+ | 1,110 $ |
| 25+ | 1,020 $ |
| 50+ | 0,926 $ |
| 100+ | 0,839 $ |
| 250+ | 0,761 $ |
| 500+ | 0,683 $ |
| 1000+ | 0,611 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMT6007LFGQ-7
Code Commande28AK8878
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance4500µohm
On Resistance Rds(on)0.0045ohm
Transistor Case StylePowerDI 3333
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation62.5W
Power Dissipation Pd62.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
4500µohm
Transistor Case Style
PowerDI 3333
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.0045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits