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DMT6008LFG-13
MOSFET, N-CH, 60V, 60A, POWERDI 3333 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMT6008LFG-13
Code Commande
Mise en bobine28AK8879
Bandes découpées28AK8879
Votre numéro de pièce
Fiche technique
2 476 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,880 $ |
| 10+ | 1,220 $ |
| 25+ | 1,100 $ |
| 50+ | 0,986 $ |
| 100+ | 0,868 $ |
| 250+ | 0,784 $ |
| 500+ | 0,702 $ |
| 1000+ | 0,633 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMT6008LFG-13
Code Commande
Mise en bobine28AK8879
Bandes découpées28AK8879
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.005ohm
Drain Source On State Resistance5000µohm
Transistor Case StylePowerDI 3333
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation41W
Power Dissipation Pd41W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.005ohm
Transistor Case Style
PowerDI 3333
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
41W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
5000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
41W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits