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DMT6009LK3-13
MOSFET, N-CH, 60V, 57A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMT6009LK3-13
Code Commande
Mise en bobine28AK8883
Bandes découpées28AK8883
Votre numéro de pièce
Fiche technique
2 219 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,200 $ |
| 10+ | 1,390 $ |
| 25+ | 1,240 $ |
| 50+ | 1,080 $ |
| 100+ | 0,925 $ |
| 250+ | 0,826 $ |
| 500+ | 0,726 $ |
| 1000+ | 0,686 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMT6009LK3-13
Code Commande
Mise en bobine28AK8883
Bandes découpées28AK8883
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id57A
Drain Source On State Resistance8300µohm
On Resistance Rds(on)0.0083ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation Pd50W
Power Dissipation50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
8300µohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
50W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
57A
On Resistance Rds(on)
0.0083ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits