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DMT6015LSS-13
MOSFET, N-CH, 60V, 9.2A, SOIC ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMT6015LSS-13
Code Commande
Mise en bobine28AK8891
Bandes découpées28AK8891
Votre numéro de pièce
Fiche technique
2 290 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,390 $ |
| 10+ | 0,964 $ |
| 25+ | 0,859 $ |
| 50+ | 0,755 $ |
| 100+ | 0,651 $ |
| 250+ | 0,581 $ |
| 500+ | 0,513 $ |
| 1000+ | 0,466 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMT6015LSS-13
Code Commande
Mise en bobine28AK8891
Bandes découpées28AK8891
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id9.2A
On Resistance Rds(on)0.0124ohm
Drain Source On State Resistance0.0124ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd1.5W
Power Dissipation1.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0124ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.2A
Drain Source On State Resistance
0.0124ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits