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DMT6016LSS-13
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 9.2 A, 0.018 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMT6016LSS-13
Code Commande
Mise en bobine39AH6617
Bandes découpées39AH6617
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 5 semaine(s)
Options de conditionnement
Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMT6016LSS-13
Code Commande
Mise en bobine39AH6617
Bandes découpées39AH6617
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id9.2A
Drain Source On State Resistance0.018ohm
On Resistance Rds(on)0.018ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.5W
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.2A
On Resistance Rds(on)
0.018ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit