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DMT6018LDR-7
DUAL MOSFET, N-CH, 60V, 8.8A, VDFN3030 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
3 795 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,260 $ |
| 10+ | 1,180 $ |
| 25+ | 1,130 $ |
| 50+ | 1,080 $ |
| 100+ | 1,020 $ |
| 250+ | 1,000 $ |
| 500+ | 0,996 $ |
| 1000+ | 0,911 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,26 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMT6018LDR-7
Code Commande81AH8915
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id8.8A
Continuous Drain Current Id N Channel8.8A
Continuous Drain Current Id P Channel8.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.013ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.013ohm
Transistor Case StyleVDFN3030
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.1W
Power Dissipation P Channel1.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
8.8A
Continuous Drain Current Id P Channel
8.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.013ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
8.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.013ohm
Transistor Case Style
VDFN3030
Power Dissipation N Channel
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits