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DMT8012LK3-13
MOSFET, N-CH, 80V, 44A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
2 479 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,700 $ |
| 10+ | 1,420 $ |
| 25+ | 1,320 $ |
| 50+ | 1,210 $ |
| 100+ | 1,100 $ |
| 250+ | 1,020 $ |
| 500+ | 0,943 $ |
| 1000+ | 0,883 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,70 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMT8012LK3-13
Code Commande81AH8916
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source On State Resistance0.012ohm
On Resistance Rds(on)0.012ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd2.7W
Power Dissipation2.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2.7W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
44A
On Resistance Rds(on)
0.012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
2.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits