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DMTH10H025SK3-13
MOSFET, N-CH, 100V, 46.3A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMTH10H025SK3-13
Code Commande
Mise en bobine28AK8819
Bandes découpées28AK8819
Votre numéro de pièce
Fiche technique
4 190 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,440 $ |
| 10+ | 0,911 $ |
| 25+ | 0,807 $ |
| 50+ | 0,702 $ |
| 100+ | 0,598 $ |
| 250+ | 0,534 $ |
| 500+ | 0,472 $ |
| 1000+ | 0,427 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMTH10H025SK3-13
Code Commande
Mise en bobine28AK8819
Bandes découpées28AK8819
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id46.3A
Drain Source On State Resistance0.0178ohm
On Resistance Rds(on)0.0178ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd2W
Power Dissipation2W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0178ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
46.3A
On Resistance Rds(on)
0.0178ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits