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ZVN2110G
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 500 mA, 4 ohm, SOT-223, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 035 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,520 $ |
| 10+ | 1,260 $ |
| 25+ | 1,130 $ |
| 50+ | 1,020 $ |
| 100+ | 0,894 $ |
| 250+ | 0,802 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,52 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZVN2110G
Code Commande83K1665
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance4ohm
On Resistance Rds(on)4ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation2W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The ZVN2110G is a N-channel enhancement-mode Vertical DMOSFET with fast switching speed.
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
On Resistance Rds(on)
4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation Pd
2W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
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Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits