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ZVP2110A
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 230 mA, 8 ohm, TO-226AA, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,920 $ |
| 10+ | 1,390 $ |
| 100+ | 1,090 $ |
| 500+ | 0,909 $ |
| 1000+ | 0,851 $ |
| 2500+ | 0,812 $ |
| 12000+ | 0,772 $ |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZVP2110A
Code Commande98K4111
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id230mA
On Resistance Rds(on)8ohm
Drain Source On State Resistance8ohm
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd700mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation700mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Aperçu du produit
The ZVP2110A is a -100V E-Line P-channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET with 8Ω resistance and 700mW power dissipation.
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Audio, Automotive
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
8ohm
Transistor Case Style
TO-226AA
Power Dissipation Pd
700mW
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
230mA
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (4)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit