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DI020N06D1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 20 A, 35 mohm, TO-252AA (DPAK), Surface Mount
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FabricantDIOTEC SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDI020N06D1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Mise en bobine16AM8175RL
Bandes découpées16AM8175
Votre numéro de pièce
4 469 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,160 $ | 5,80 $ |
| Total Prix | 5,80 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,160 $ |
| 10+ | 0,713 $ |
| 15+ | 0,684 $ |
| 25+ | 0,653 $ |
| 50+ | 0,624 $ |
| 125+ | 0,594 $ |
| 250+ | 0,581 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIOTEC SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDI020N06D1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Mise en bobine16AM8175RL
Bandes découpées16AM8175
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance35mohm
Transistor Case StyleTO-252AA (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation45W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
TO-252AA (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
45W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
35mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
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