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DI025N06PT-AQ
MOSFET, N-CHANNEL, 65V, 25A, QFN
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FabricantDIOTEC SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDI025N06PT-AQCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Mise en bobine16AM8179RL
Bandes découpées16AM8179
Votre numéro de pièce
1 153 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,840 $ | 0,84 $ |
| Total Prix | 0,84 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,840 $ |
| 50+ | 0,509 $ |
| 100+ | 0,388 $ |
| 250+ | 0,366 $ |
| 500+ | 0,342 $ |
| 1000+ | 0,338 $ |
| 2500+ | 0,321 $ |
| 5000+ | 0,267 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIOTEC SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDI025N06PT-AQCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Mise en bobine16AM8179RL
Bandes découpées16AM8179
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation25W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Transistor Case Style
QFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
65V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit