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DI080N06PQ-AQ
Power MOSFET, N Channel, 65 V, 105 A, 0.003 ohm, QFN, Surface Mount
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FabricantDIOTEC SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDI080N06PQ-AQCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Mise en bobine16AM8201RL
Bandes découpées16AM8201
Votre numéro de pièce
4 794 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 4,610 $ | 4,61 $ |
| Total Prix | 4,61 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,610 $ |
| 50+ | 2,520 $ |
| 100+ | 2,320 $ |
| 250+ | 2,140 $ |
| 500+ | 1,960 $ |
| 1000+ | 1,920 $ |
| 2500+ | 1,880 $ |
| 5000+ | 1,850 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIOTEC SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDI080N06PQ-AQCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Mise en bobine16AM8201RL
Bandes découpées16AM8201
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id105A
Drain Source On State Resistance0.003ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation65.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
65V
Drain Source On State Resistance
0.003ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
105A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.8W
Operating Temperature Max
150°C
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit