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DI105N04PQ-AQ
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 130 A, 0.0026 ohm, QFN, Surface Mount
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FabricantDIOTEC SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDI105N04PQ-AQCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant9 semaines
Code Commande
Mise en bobine16AM8205RL
Bandes découpées16AM8205
Votre numéro de pièce
4 965 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,000 $ | 2,00 $ |
| Total Prix | 2,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,000 $ |
| 50+ | 1,410 $ |
| 100+ | 1,050 $ |
| 250+ | 0,991 $ |
| 500+ | 0,931 $ |
| 1000+ | 0,826 $ |
| 2500+ | 0,700 $ |
| 5000+ | 0,699 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIOTEC SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDI105N04PQ-AQCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant9 semaines
Code Commande
Mise en bobine16AM8205RL
Bandes découpées16AM8205
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id130A
Drain Source On State Resistance0.0026ohm
Transistor Case StyleQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
130A
Transistor Case Style
QFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit