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DI105N04PQ-AQ
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 130 A, 0.0026 ohm, QFN, Surface Mount
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FabricantDIOTEC SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDI105N04PQ-AQCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant9 semaines
Code Commande
Mise en bobine16AM8205RL
Bandes découpées16AM8205
Votre numéro de pièce
4 965 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 2,000 $ | 2,00 $ |
| Total Prix | 2,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,000 $ |
| 50+ | 1,410 $ |
| 100+ | 1,050 $ |
| 250+ | 0,991 $ |
| 500+ | 0,931 $ |
| 1000+ | 0,826 $ |
| 2500+ | 0,700 $ |
| 5000+ | 0,699 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIOTEC SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDI105N04PQ-AQCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant9 semaines
Code Commande
Mise en bobine16AM8205RL
Bandes découpées16AM8205
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id130A
Drain Source On State Resistance0.0026ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0026ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
130A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit