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G3R350MT12J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricantGENESIC
Réf. FabricantG3R350MT12J
Code Commande89AH0987
Gamme de produitG3R Series
Fiche technique
Disponible sur commande
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 5,620 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1000
Multiple: 1000
5 620,00 $
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Informations produit
FabricantGENESIC
Réf. FabricantG3R350MT12J
Code Commande89AH0987
Gamme de produitG3R Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.35ohm
On Resistance Rds(on)0.35ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Power Dissipation Pd75W
Gate Source Threshold Voltage Max2.69V
Power Dissipation75W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeG3R Series
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.35ohm
No. of Pins
7Pins
Power Dissipation Pd
75W
Power Dissipation
75W
Product Range
G3R Series
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
15V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.69V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit