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G2R120MT33J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 34 A, 3.3 kV, 0.156 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 8 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 100+ | 130,870 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 150
Multiple: 150
19 630,50 $
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Informations produit
FabricantGENESIC
Réf. FabricantG2R120MT33J
Code Commande89AH0975
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source Voltage Vds3.3kV
Drain Source On State Resistance0.156ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation366W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
34A
Drain Source On State Resistance
0.156ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
3.3kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
366W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits