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G3F05MT12GB2
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 216 A, 1.2 kV, 0.0062 ohm, Module
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FabricantGENESIC
Réf. FabricantG3F05MT12GB2
Code Commande39AM8763
Gamme de produitSiCPAK G Series
Fiche technique
48 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 342,070 $ |
| 5+ | 337,000 $ |
| 10+ | 332,080 $ |
| 25+ | 312,140 $ |
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Minimum: 1
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342,07 $
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Informations produit
FabricantGENESIC
Réf. FabricantG3F05MT12GB2
Code Commande39AM8763
Gamme de produitSiCPAK G Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id216A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance6200µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins36Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation444W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSiCPAK G Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
216A
Drain Source On State Resistance
6200µohm
No. of Pins
36Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
444W
Product Range
SiCPAK G Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit