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G3F25MT06K
Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 100 A, 650 V, 0.0275 ohm, TO-247
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 21 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 21,430 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 600
Multiple: 600
12 858,00 $
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Informations produit
FabricantGENESIC
Réf. FabricantG3F25MT06K
Code Commande16AM7739
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.0275ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation294W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.0275ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
294W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit