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G3F60MT06J-TR
Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 44 A, 650 V, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 8,880 $ |
| 1000+ | 8,330 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 800
Multiple: 800
7 104,00 $
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Informations produit
FabricantGENESIC
Réf. FabricantG3F60MT06J-TR
Code Commande16AM7752
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation155W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
44A
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
155W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit