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G3R20MT12K
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 128 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
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FabricantGENESIC
Réf. FabricantG3R20MT12K
Code Commande89AH0980
Gamme de produitG3R Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 8 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 250+ | 41,020 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 300
Multiple: 300
12 306,00 $
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Informations produit
FabricantGENESIC
Réf. FabricantG3R20MT12K
Code Commande89AH0980
Gamme de produitG3R Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id128A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.02ohm
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Power Dissipation Pd542W
Gate Source Threshold Voltage Max2.69V
Power Dissipation542W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeG3R Series
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
No. of Pins
4Pins
Power Dissipation Pd
542W
Power Dissipation
542W
Product Range
G3R Series
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
128A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.69V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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