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G3R75MT12D
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 41 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
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FabricantGENESIC
Réf. FabricantG3R75MT12D
Code Commande89AH0995
Gamme de produitG3R Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 8 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 11,350 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 600
Multiple: 600
6 810,00 $
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Informations produit
FabricantGENESIC
Réf. FabricantG3R75MT12D
Code Commande89AH0995
Gamme de produitG3R Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id41A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.075ohm
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Power Dissipation Pd207W
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.69V
Power Dissipation207W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeG3R Series
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
No. of Pins
3Pins
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
207W
Product Range
G3R Series
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
41A
On Resistance Rds(on)
0.075ohm
Transistor Case Style
TO-247
Power Dissipation Pd
207W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.69V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit