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G3R75MT12J-TR
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 38 A, 1.2 kV, 85 mohm, TO-263 (D2PAK)
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 15,490 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 800
Multiple: 800
12 392,00 $
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Informations produit
FabricantGENESIC
Réf. FabricantG3R75MT12J-TR
Code Commande14AM5532
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance85mohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation196W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
38A
Drain Source On State Resistance
85mohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
196W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit