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Modèle arrêté
Informations produit
FabricantGENESIC
Réf. FabricantGA08JT17-247
Code Commande46W2773
Fiche technique
Breakdown Voltage Vbr-
Gate Source Breakdown Voltage Max-
Zero Gate Voltage Drain Current Max10µA
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min0.1µA
Gate Source Cutoff Voltage Max-
Transistor Case StyleTO-247AB
Transistor TypeJFET
Operating Temperature Max175°C
Channel TypeN Channel
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingThrough Hole
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Spécifications techniques
Breakdown Voltage Vbr
-
Zero Gate Voltage Drain Current Max
10µA
Gate Source Cutoff Voltage Max
-
Transistor Type
JFET
Channel Type
N Channel
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Gate Source Breakdown Voltage Max
-
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
0.1µA
Transistor Case Style
TO-247AB
Operating Temperature Max
175°C
No. of Pins
3 Pin
Qualification
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificat de conformité du produit