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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
Informations produit
FabricantGENESIC
Réf. FabricantGA50JT06-258
Code Commande85X0911
Fiche technique
Breakdown Voltage Vbr-
Gate Source Breakdown Voltage Max-
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min-
Zero Gate Voltage Drain Current Max-
Gate Source Cutoff Voltage Max-
Transistor Case StyleTO-258
Transistor TypeJFET
Channel TypeN Channel
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max225°C
Transistor MountingThrough Hole
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2020)
Spécifications techniques
Breakdown Voltage Vbr
-
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
-
Gate Source Cutoff Voltage Max
-
Transistor Type
JFET
No. of Pins
3 Pin
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2020)
Gate Source Breakdown Voltage Max
-
Zero Gate Voltage Drain Current Max
-
Transistor Case Style
TO-258
Channel Type
N Channel
Operating Temperature Max
225°C
Qualification
-
MSL
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2020)
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Certificat de conformité du produit