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GA50SICP12-227
Silicon Carbide MOSFET, Co-Pack, Single, N Channel, 50 A, 1.2 kV, SOT-227
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 20 semaine(s)
Informations produit
FabricantGENESIC
Réf. FabricantGA50SICP12-227
Code Commande08X5878
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)-
Drain Source On State Resistance-
Rds(on) Test Voltage-
Transistor Case StyleSOT-227
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation Pd67W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max-
Power Dissipation67W
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
-
Transistor Case Style
SOT-227
Power Dissipation Pd
67W
Operating Temperature Max
-
Product Range
-
SVHC
Lead
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
On Resistance Rds(on)
-
Rds(on) Test Voltage
-
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
4Pins
Power Dissipation
67W
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit