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AIMCQ120R160M1TXTMA1
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 18.6A, HDSOP
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantAIMCQ120R160M1TXTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine59AM1249RL
Bandes découpées59AM1249
Gamme de produitCoolSiC Series
Votre numéro de pièce
450 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 9,200 $ | 9,20 $ |
| Total Prix | 9,20 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,200 $ |
| 50+ | 6,250 $ |
| 100+ | 4,590 $ |
| 250+ | 4,500 $ |
| 500+ | 4,400 $ |
| 1000+ | 4,320 $ |
| 2500+ | 4,220 $ |
| 5000+ | 4,130 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAIMCQ120R160M1TXTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine59AM1249RL
Bandes découpées59AM1249
Gamme de produitCoolSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id18.6A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.2ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation125W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
18.6A
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
125W
Product Range
CoolSiC Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit