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AIMDQ75R016M1HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantAIMDQ75R016M1HXUMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine83AK8085RL
Bandes découpées83AK8085
Gamme de produitCoolSiC Gen I Series
Votre numéro de pièce
330 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 31,400 $ | 31,40 $ |
| Total Prix | 31,40 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 31,400 $ |
| 10+ | 22,520 $ |
| 25+ | 21,900 $ |
| 50+ | 21,280 $ |
| 100+ | 20,650 $ |
| 250+ | 20,230 $ |
| 500+ | 19,830 $ |
| 1500+ | 18,880 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAIMDQ75R016M1HXUMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine83AK8085RL
Bandes découpées83AK8085
Gamme de produitCoolSiC Gen I Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id98A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation384W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen I Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
98A
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
384W
Product Range
CoolSiC Gen I Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit