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AIMW120R060M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantAIMW120R060M1HXKSA1
Code Commande52AJ4419
Gamme de produitCoolSiC Trench
Fiche technique
180 En Stock
60 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 51,800 $ |
| 5+ | 51,600 $ |
| 10+ | 51,410 $ |
| 25+ | 38,240 $ |
| 50+ | 38,100 $ |
| 100+ | 37,960 $ |
| 480+ | 37,950 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
51,80 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAIMW120R060M1HXKSA1
Code Commande52AJ4419
Gamme de produitCoolSiC Trench
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.06ohm
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation150W
Power Dissipation Pd150W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
150W
Product Range
CoolSiC Trench
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
On Resistance Rds(on)
0.06ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit