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AIMZHN120R080M1TXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 31 A, 1.2 kV, 0.1 ohm, TO-247
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantAIMZHN120R080M1TXKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande87AK1289
Gamme de produitCoolSiC Series
Votre numéro de pièce
786 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 16,200 $ |
| 10+ | 14,340 $ |
| 25+ | 12,470 $ |
| 50+ | 10,610 $ |
| 100+ | 10,000 $ |
| 250+ | 9,370 $ |
| 500+ | 9,190 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
16,20 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAIMZHN120R080M1TXKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande87AK1289
Gamme de produitCoolSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation169W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
31A
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
169W
Product Range
CoolSiC Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit