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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAUIRF7769L2TR
Code Commande91Y4165
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id124A
On Resistance Rds(on)0.0028ohm
Drain Source On State Resistance3500µohm
Transistor Case StyleDirectFET L8
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation125W
Power Dissipation Pd125W
No. of Pins15Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour AUIRF7769L2TR
1 produit trouvé
Aperçu du produit
- Automotive grade Directed® power MOSFET
- Advanced process technology
- Optimized for automotive motor drive, DC-DC and other heavy load applications
- Exceptionally small footprint and low profile
- High power density
- Low parasitic parameters
- Dual sided cooling
- Repetitive avalanche capability for robustness and reliability
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0028ohm
Transistor Case Style
DirectFET L8
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
No. of Pins
15Pins
Product Range
HEXFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
124A
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Power Dissipation Pd
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit