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3 826 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,560 $ |
| 10+ | 1,130 $ |
| 25+ | 1,020 $ |
| 50+ | 0,961 $ |
| 100+ | 0,901 $ |
| 250+ | 0,844 $ |
| 500+ | 0,809 $ |
| 1000+ | 0,780 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,56 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBAT2402LSE6327XTSA1
Code Commande23AC2817
Gamme de produitBAT24
Fiche technique
Diode ConfigurationSingle
Reverse Voltage4V
Forward Current110mA
Forward Voltage410mV
Forward Voltage VF Max410mV
Diode Capacitance0.2pF
Diode Case StyleTSSLP-2-1
No. of Pins2 Pin
Diode MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product RangeBAT24
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- Single silicon RF Schottky diode for mixers and detectors in radar systems and modules
- Silicon low barrier N-type device with integrated guard ring on-chip for over-voltage protection
- Low inductance and low capacitance
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
- Single, leadless pin configuration
Spécifications techniques
Diode Configuration
Single
Forward Current
110mA
Forward Voltage VF Max
410mV
Diode Case Style
TSSLP-2-1
Diode Mounting
Surface Mount
Product Range
BAT24
Reverse Voltage
4V
Forward Voltage
410mV
Diode Capacitance
0.2pF
No. of Pins
2 Pin
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits